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IXTQ36N50P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHV™
Power Dissipation (Max) 540W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-3P
Rds On (Max) @ Id, Vgs 170 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IXTQ3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTQ30N50L IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37918
IXTQ30N50L2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 36585
IXTQ30N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6603
IXTQ30N60L2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34707
IXTQ30N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 675
IXTQ32N65X IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
IXTQ32P20T IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 3789
IXTQ36N20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
IXTQ36N30P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2918
IXTQ36N30P IXYS Transistores MOSFET individuales

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