IXTQ36N20T Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V TO-3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id -
Supplier Device Package TO-3P
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Packaging Tube
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
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IXTQ30N50L IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37918
IXTQ30N50L2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 36585
IXTQ30N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6603
IXTQ30N60L2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34707
IXTQ30N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 675
IXTQ32N65X IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
IXTQ32P20T IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 3789
IXTQ36N30P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2918
IXTQ36N30P IXYS Transistores MOSFET individuales
IXTQ36N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2768

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