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IXTQ30N60L2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-3P
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10700pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Linear L2™
Power Dissipation (Max) 540W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 335nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IXTQ3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTQ30N50L IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37918
IXTQ30N50L2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 36585
IXTQ30N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6603
IXTQ30N60P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 675
IXTQ32N65X IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
IXTQ32P20T IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 3789
IXTQ36N20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
IXTQ36N30P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2918
IXTQ36N30P IXYS Transistores MOSFET individuales
IXTQ36N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2768

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