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IXTQ160N10T
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IXTQ160N10T Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchMV™ |
Power Dissipation (Max) | 430W (Tc) |
Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 132nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-3P |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 25A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6600pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 160A (Tc) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'IXTQ1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXTQ100N25P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2838 |
IXTQ100N25P | IXYS | Transistores MOSFET individuales | |
IXTQ102N15T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5779 |
IXTQ102N20T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5682 |
IXTQ102N25T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2675 |
IXTQ10P50P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2714 |
IXTQ110N055P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2823 |
IXTQ110N10P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2847 |
IXTQ110N10P | IXYS | Transistores MOSFET individuales | |
IXTQ120N15P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5320 |
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