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NVB5860NT4G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 169A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK-3
Power Dissipation (Max) 283W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 220A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 mOhm @ 75A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10760pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Otros incluyen   "NVB58"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NVB5860N VB CIs Calientes Especializados 1000
NVB5860NL VB CIs Calientes Especializados 1000
NVB5860NLT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2686
NVB5860NLT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
NVB5860NT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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