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NVB5860NLT4G Especificaciones técnicas

MOSFET NFET D2PAK 60V 169A 3MOHM

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 25 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Part Status Obsolete
Number of Terminations 2
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 283W
Turn On Delay Time 25 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 220A Ta
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Turn-Off Delay Time 98 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 660A
Length 10.29mm
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Lifecycle Status LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 283W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3m Ω @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13216pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 220A
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Height 4.83mm
Width 9.65mm
Lead Free Lead Free
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Las siguientes partes incluyen  'NVB58' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NVB5860N VB CIs Calientes Especializados 1000
NVB5860NL VB CIs Calientes Especializados 1000
NVB5860NLT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2686
NVB5860NT4G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2563
NVB5860NT4G ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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