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MJ11033G
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MJ11033G Especificaciones técnicas
TRANS PNP DARL 120V 50A TO3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120V |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Power - Max | 300W |
Package / Case | TO-204AE |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 25A, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 50A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3.5V @ 500mA, 50A |
Supplier Device Package | TO-3 |
Packaging | Tray |
Operating Temperature | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 2mA |
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Las siguientes partes incluyen 'MJ110'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MJ1100FE-R52 | Ohmite | Resistores de Agujero Pasante | 2706 |
MJ11012 | MOT | CIs Especializados | 2459 |
MJ11012G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2573 |
MJ11012G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJ11013 | MOT | CIs Especializados | 1200 |
MJ11014 | ON | CIs Calientes Especializados | 1322 |
MJ11015 | MOT | CIs Calientes Especializados | 14640 |
MJ11015G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 567 |
MJ11015G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MJ11016 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 5418 |
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