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MMBT3904LT3G
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MMBT3904LT3G Especificaciones técnicas
TRANS NPN 40V 0.2A SOT23
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 300mW |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 300MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | - |
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Hojas de datos
MMBT3904LT3G.pdf
Otros incluyen "MMBT3" partes
Las siguientes partes incluyen 'MMBT3'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MMBT3055VLT4G | ON | CIs Calientes Especializados | 8000 |
MMBT3416 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 3429 |
MMBT3416 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 18374 |
MMBT3416 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MMBT3416 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
MMBT3416LT1G | ON | CIs Calientes Especializados | 3413 |
MMBT3416LT3 | M0T | CIs Calientes Especializados | 10408 |
MMBT3416LT3 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales | |
MMBT3416LT3G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 9000 |
MMBT3416LT3G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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