FGA50N100BNTTU Especificaciones técnicas

IGBT 1000V 50A 156W TO3P

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V
Test Condition 600V, 60A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy -
Power - Max 156W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type NPT and Trench
Detailed Description IGBT NPT and Trench 1000V 50A 156W Through Hole TO-3PN
Current - Collector (Ic) (Max) 50A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 60A
Td (on/off) @ 25°C 34ns/243ns
Supplier Device Package TO-3PN
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 257nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FGA5065ADF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 698
FGA5065ADF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 835
FGA5065ADF ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA50N100BNT FSC CIs Calientes Especializados 5716
FGA50N100BNTD FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 5785
FGA50N100BNTD2 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 7842
FGA50N100BNTD2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 7842
FGA50N100BNTD2 ON Semiconductor IGBTs individuales
FGA50N100BNTDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2770
FGA50N100BNTDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 963

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