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SUD50N10-18P-E3
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SUD50N10-18P-E3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 8.2A TO252
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5 mOhm @ 15A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 136.4W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.2A (Ta), 50A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SUD50N014-06P | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 2757 |
SUD50N014-09P | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 2220 |
SUD50N02-04P | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 12965 |
SUD50N02-04P-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4386 |
SUD50N02-04P-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 22201 |
SUD50N02-06 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 5407 |
SUD50N02-06-E3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 1365 |
SUD50N02-06P | TO-252 | CIs Calientes Especializados | 20653 |
SUD50N02-06P-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 31136 |
SUD50N02-06P-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1363 |
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