SUD50N02-06P-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 20V 50A TO252

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 6.8W (Ta), 65W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2550pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SUD50N014-06P VISHAY CIs Calientes Especializados 2757
SUD50N014-09P VISHAY CIs Calientes Especializados 2220
SUD50N02-04P VISHAY CIs Calientes Especializados 12965
SUD50N02-04P-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4386
SUD50N02-04P-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 22201
SUD50N02-06 VISHAY CIs Calientes Especializados 5407
SUD50N02-06-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 1365
SUD50N02-06P TO-252 CIs Calientes Especializados 20653
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