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SIR414DP-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 117nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4750pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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SIR414DP-T1-GE3 Documentos

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Otros incluyen   "SIR41"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SIR41' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIR410DP SI CIs Calientes Especializados 614
SIR410DP-T1 VISHAY CIs Calientes Especializados 450
SiR410DP-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 798200
SIR410DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 14969
SIR410DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 14969
SIR410DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SiR412DP Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 50445
SiR412DP-T1-E3 Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 798200
SIR412DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 819423
SIR412DP-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 819423

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