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SIR410DP-T1-GE3
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SIR410DP-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 4.2W (Ta), 36W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® SO-8 |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | SIR410DP-T1-GE3-ND SIR410DP-T1-GE3TR SIR410DPT1GE3 |
Mounting Type | Surface Mount |
Manufacturer Standard Lead Time | 27 Weeks |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 10V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 20V 35A (Tc) 4.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
SIR410DP-T1-GE3 Documentos
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Hojas de datos
SIR410DP-T1-GE3.pdf
Otros incluyen "SIR41" partes
Las siguientes partes incluyen 'SIR41'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SIR410DP | SI | CIs Calientes Especializados | 614 |
SIR410DP-T1 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 450 |
SiR410DP-T1-E3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 798200 |
SIR410DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 14969 |
SIR410DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SiR412DP | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 50445 |
SiR412DP-T1-E3 | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 798200 |
SIR412DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 819423 |
SIR412DP-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 819423 |
SIR412DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales |
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