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SIHP21N60EF-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 21A TO-220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 176 mOhm @ 11A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2030pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 227W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 84nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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Otros incluyen   "SIHP2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SIHP2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIHP20N50E Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 25
SIHP20N50E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 29
SIHP20N50E-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2734
SIHP20N50E-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIHP21N60EF Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 7470
SIHP21N60EF-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3033
SIHP21N60EF-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIHP21N65EF-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2765
SIHP21N65EF-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2756
SIHP21N65EF-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales

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