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SIHP21N60EF-GE3
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SIHP21N60EF-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 176 mOhm @ 11A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2030pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Power Dissipation (Max) | 227W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
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Las siguientes partes incluyen 'SIHP2'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SIHP20N50E | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 25 |
SIHP20N50E-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 29 |
SIHP20N50E-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2734 |
SIHP20N50E-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SIHP21N60EF | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 7470 |
SIHP21N60EF-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3033 |
SIHP21N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SIHP21N65EF-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2765 |
SIHP21N65EF-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2756 |
SIHP21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales |
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