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SIHG21N65EF-GE3
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SIHG21N65EF-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2322pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-247AC |
Power Dissipation (Max) | 208W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'SIHG2'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SIHG20N50C | VISHYA | CIs Calientes Especializados | 3285 |
SIHG20N50C-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3036 |
SIHG20N50C-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 111891 |
SIHG20N50C-E3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SIHG20N50C-E3 MOS | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 4403 |
SIHG20N50E-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2784 |
SIHG20N50E-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2613 |
SIHG20N50E-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
SIHG20N50G | IR | CIs Calientes Especializados | 17 |
SIHG21N60EF-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2600 |
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