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SIHG20N50E-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 19A TO-247AC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 184 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1640pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-247AC
Power Dissipation (Max) 179W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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SIHG20N50E-GE3 Documentos

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Otros incluyen   "SIHG2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SIHG2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIHG20N50C VISHYA CIs Calientes Especializados 3285
SIHG20N50C-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3036
SIHG20N50C-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 111891
SIHG20N50C-E3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIHG20N50C-E3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 4403
SIHG20N50E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2613
SIHG20N50E-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
SIHG20N50G IR CIs Calientes Especializados 17
SIHG21N60EF-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2600
SIHG21N60EF-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2607

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