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SIB914DK-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Series TrenchFET®
Power - Max 3.1W
Package / Case PowerPAK® SC-75-6L Dual
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.6nC @ 5V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® SC-75-6L Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 113 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 125pF @ 4V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
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Otros incluyen   "SIB91"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SIB91' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIB911DK-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2561
SIB911DK-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2599
SIB911DK-T1-E3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SIB911DK-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 57332
SIB911DK-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 163300
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SIB912DK-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 5018
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SIB914DK-T1-GE3 fabricantes de marca: Vishay / Siliconix, Bonchip existencias, SIB914DK-T1-GE3 precio de referencia. SIB914DK-T1-GE3 parámetros, SIB914DK-T1-GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SIB914DK-T1-GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SIB914DK-T1-GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SIB914DK-T1-GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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