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SIB911DK-T1-GE3
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SIB911DK-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 3.1W |
Package / Case | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 8V |
FET Feature | Standard |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | PowerPAK® SC-75-6L Dual |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 295 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 115pF @ 10V |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
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Hojas de datos
SIB911DK-T1-GE3.pdf
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Las siguientes partes incluyen 'SIB91'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SIB911DK-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2561 |
SIB911DK-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2599 |
SIB911DK-T1-E3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs | |
SIB911DK-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 163300 |
SIB911DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs | |
SIB912DK-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 5018 |
SIB912DK-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2958 |
SIB912DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs | |
SIB914DK-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 15 |
SIB914DK-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2563 |
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