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SIB437EDKT-T1-GE3
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SIB437EDKT-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Supplier Device Package | PowerPAK® TSC75-6 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 3A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
Package / Case | PowerPAK® TSC-75-6 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
SIB437EDKT-T1-GE3 Documentos
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Hojas de datos
SIB437EDKT-T1-GE3.pdf
Otros incluyen "SIB43" partes
Las siguientes partes incluyen 'SIB43'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SIB433EDK-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2647 |
SIB433EDK-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2654 |
SIB437EDKT-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 12666 |
SIB437EDKT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales |
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