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SIB433EDK-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SC-75-6L
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package PowerPAK® SC-75-6L Single
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
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Otros incluyen   "SIB43"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SIB43' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SIB433EDK-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2647
SIB437EDKT-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 542
SIB437EDKT-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12666
SIB437EDKT-T1-GE3 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales

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SIB433EDK-T1-GE3 fabricantes de marca: Vishay / Siliconix, Bonchip existencias, SIB433EDK-T1-GE3 precio de referencia. SIB433EDK-T1-GE3 parámetros, SIB433EDK-T1-GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SIB433EDK-T1-GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SIB433EDK-T1-GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SIB433EDK-T1-GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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