SI8901EDB-T2-E1 Especificaciones técnicas

MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6-MFP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 350µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1W
Package / Case 6-MICRO FOOT®CSP
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-Micro Foot™
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 P-Channel (Dual) Common Drain
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI8900B-A01-GS Energy Micro (Silicon Labs) Adquisición de Datos - Convertidores Analógico a Digital (ADC) 2556
SI8900B-A01-GS Silicon Labs ADC
SI8900B-A01-GSR Energy Micro (Silicon Labs) Adquisición de Datos - Convertidores Analógico a Digital (ADC) 1552
SI8900B-A01-GSR Silicon Labs ADC
SI8900D-A01-GS Energy Micro (Silicon Labs) Adquisición de Datos - Convertidores Analógico a Digital (ADC) 2647
SI8900D-A01-GS Silicon Labs ADC
SI8900D-A01-GSR Energy Micro (Silicon Labs) Adquisición de Datos - Convertidores Analógico a Digital (ADC) 2685
SI8900EDB-T2-E1 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 687
SI8900EDB-T2-E1 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 688
SI8900EDB-T2-E1 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs

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