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APT200GN60JG Especificaciones técnicas
IGBT 600V 283A 682W SOT227
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Supplier Device Package | ISOTOP® |
Package / Case | ISOTOP |
NTC Thermistor | No |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 14.1nF @ 25V |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector (Ic) (Max) | 283A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 200A |
Power - Max | 682W |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input | Standard |
Current - Collector Cutoff (Max) | 25µA |
Configuration | Single |
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-
Hojas de datos
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Otros incluyen "APT20" partes
Las siguientes partes incluyen 'APT20'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
APT200GH60J | APT | Módulos IGBT | 2715 |
APT200GN60B2G | Microsemi | Transistores - IGBTs - Individual | 2794 |
APT200GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBTs individuales | |
APT200GN60J | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 2936 |
APT200GN60J | Microsemi Corporation | Módulos IGBT | |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 1431 |
APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | Módulos IGBT | |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi | Transistores - IGBTs - Módulos | 2697 |
APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | Módulos IGBT | |
APT200GN60JG | Microsemi Corporation | Módulos IGBT |
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