APT200GN60JG Especificaciones técnicas

IGBT 600V 283A 682W SOT227

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Supplier Device Package ISOTOP®
Package / Case ISOTOP
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 14.1nF @ 25V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max) 283A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 200A
Power - Max 682W
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 25µA
Configuration Single
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
APT200GH60J APT Módulos IGBT 2715
APT200GN60B2G Microsemi Transistores - IGBTs - Individual 2794
APT200GN60B2G Microsemi Corporation IGBTs individuales
APT200GN60J Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2936
APT200GN60J Microsemi Corporation Módulos IGBT
APT200GN60JDQ4 Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 1431
APT200GN60JDQ4 Microsemi Corporation Módulos IGBT
APT200GN60JDQ4G Microsemi Transistores - IGBTs - Módulos 2697
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