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SI5975DC-T1-GE3
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SI5975DC-T1-GE3 Especificaciones técnicas
MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 450mV @ 1mA (Min) |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 1.1W |
Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 1206-8 ChipFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 86 mOhm @ 3.1A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "SI597" partes
Las siguientes partes incluyen 'SI597'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI5975DC-T1 | SOT23-8 | CIs Calientes Especializados | 71000 |
SI5975DC-T1-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 1240 |
SI5975DC-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 4143 |
SI5975DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs | |
SI5975DC-T1-E3 IC | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 997 |
SI5975DC-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2673 |
SI5975DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs |
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