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SI5975DC-T1-GE3 Especificaciones técnicas

MOSFET 2P-CH 12V 3.1A CHIPFET

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 450mV @ 1mA (Min)
Series TrenchFET®
Power - Max 1.1W
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 1206-8 ChipFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 86 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
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Otros incluyen   "SI597"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI5975DC-T1 SOT23-8 CIs Calientes Especializados 71000
SI5975DC-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 1240
SI5975DC-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 4143
SI5975DC-T1-E3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI5975DC-T1-E3 IC Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 997
SI5975DC-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2673
SI5975DC-T1-GE3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs

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SI5975DC-T1-GE3 fabricantes de marca: Vishay / Siliconix, Bonchip existencias, SI5975DC-T1-GE3 precio de referencia. SI5975DC-T1-GE3 parámetros, SI5975DC-T1-GE3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SI5975DC-T1-GE3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SI5975DC-T1-GE3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SI5975DC-T1-GE3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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