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SI4931DY-T1-E3
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SI4931DY-T1-E3 Especificaciones técnicas
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 350µA |
Series | TrenchFET® |
Power - Max | 1.1W |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 4.5V |
FET Feature | Logic Level Gate |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.7A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-SO |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 8.9A, 4.5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'SI493'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
SI4931DY-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 19352 |
SI4931DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs | |
SI4931DY-T1-E3 IC | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 30410 |
SI4931DY-T1-E3 MOS | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 566 |
SI4931DY-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 3023 |
SI4931DY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 1546 |
SI4931DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Matrices de transistores MOSFETs | |
SI4931DY-T1/E3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 2629 |
SI4932DY-T1-E3 | VISHAY | CIs Calientes Especializados | 3000 |
SI4932DY-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 16442 |
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