SI4931DY-T1-E3 Especificaciones técnicas

MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 350µA
Series TrenchFET®
Power - Max 1.1W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 4.5V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.7A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 8.9A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SI4931DY-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 19352
SI4931DY-T1-E3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI4931DY-T1-E3 IC Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 30410
SI4931DY-T1-E3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 566
SI4931DY-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 3023
SI4931DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 1546
SI4931DY-T1-GE3 Vishay Siliconix Matrices de transistores MOSFETs
SI4931DY-T1/E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 2629
SI4932DY-T1-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 3000
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SI4931DY-T1-E3 fabricantes de marca: Vishay / Siliconix, Bonchip existencias, SI4931DY-T1-E3 precio de referencia. SI4931DY-T1-E3 parámetros, SI4931DY-T1-E3 Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el SI4931DY-T1-E3 Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar SI4931DY-T1-E3 diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, SI4931DY-T1-E3 tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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