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SI3410DV-T1-E3
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SI3410DV-T1-E3 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19.5 mOhm @ 5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1295pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchFET® |
Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 4.1W (Tc) |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'SI341'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
Si3410DV | Vishay | CIs Calientes Especializados | 27600 |
SI3410DV-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 13291 |
SI3410DV-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 64516 |
SI3410DV-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 9420 |
Si3410DV-T1-GE3 MOS | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 3454 |
SI3415-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2264 |
SI3415A-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2549 |
SI3417DV-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 46100 |
SI3417DV-T1-GE3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 46100 |
SI3417DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | SI3417DV-T1-GE3 |
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Inductores Fijos
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