SI3415A-TP Especificaciones técnicas

P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Micro Commercial Components (MCC)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 4A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI3415A-TPMSTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 22 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 4A 1.4W Surface Mount SOT-23
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±10V
Supplier Device Package SOT-23
Power Dissipation (Max) 1.4W
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
Si3410DV Vishay CIs Calientes Especializados 27600
SI3410DV-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7437
SI3410DV-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 13291
SI3410DV-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 64516
SI3410DV-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 9420
Si3410DV-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 3454
SI3415-TP Micro Commercial Components (MCC) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2264
SI3417DV-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 46100
SI3417DV-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 46100
SI3417DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3417DV-T1-GE3

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