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IRFD220PBF
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IRFD220PBF Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 800MA 4-DIP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 480mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Ta) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
Package / Case | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'IRFD2'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRFD210 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3761 |
IRFD210 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3761 |
IRFD210PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 6926 |
IRFD210PBF | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5059 |
IRFD210PBF | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
IRFD210PBF MOS | Vishay Precision Group | CIs Calientes Especializados | 1341 |
IRFD210PBF. | IR | CIs Calientes Especializados | 81 |
IRFD213 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 17722 |
IRFD213 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 14807 |
IRFD214 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2592 |
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