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IRFD213 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Power Dissipation (Max) -
Package / Case 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 450mA (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 270mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFD210 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3761
IRFD210 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3761
IRFD210PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6926
IRFD210PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5059
IRFD210PBF Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
IRFD210PBF MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 1341
IRFD210PBF. IR CIs Calientes Especializados 81
IRFD213 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 17722
IRFD214 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2592
IRFD214 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2696

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