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IRFBG20L Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-262

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package I2PAK
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 Ohm @ 840mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFBG20 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1491
IRFBG20 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7446
IRFBG20L Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
IRFBG20PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2475
IRFBG20PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3190
IRFBG20PBF Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
IRFBG20PBF   IR CIs Calientes Especializados 5422
IRFBG30 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2201
IRFBG30 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3313
IRFBG30PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1491

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