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IRFBG20PBF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 Ohm @ 840mA, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRFBG20PBF
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 18 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 1000V 1.4A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 54W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Tc)
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Otros incluyen   "IRFBG"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFBG20 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1491
IRFBG20 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 7446
IRFBG20L Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 0
IRFBG20L Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2729
IRFBG20PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2475
IRFBG20PBF Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
IRFBG20PBF   IR CIs Calientes Especializados 5422
IRFBG30 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2201
IRFBG30 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3313
IRFBG30PBF Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1491

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