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IRF530L Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 14A TO-262

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-262
Power Dissipation (Max) -
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 8.4A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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IRF530L Documentos

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Otros incluyen   "IRF53"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IRF53' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRF530 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 90290
IRF530 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2347
IRF530 STMicroelectronics Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 90384
IRF530 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
IRF5305 IR CIs Calientes Especializados 10354
IRF5305L International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6330
IRF5305LPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3316
IRF5305LPBF. IR CIs Calientes Especializados 2716
IRF5305P IRF CIs Calientes Especializados 31
IRF5305PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 471

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