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IRF5305PBF
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IRF5305PBF Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | HEXFET® |
Power Dissipation (Max) | 110W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 16A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'IRF53'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IRF530 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 90290 |
IRF530 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2347 |
IRF530 | STMicroelectronics | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 90384 |
IRF530 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
IRF5305 | IR | CIs Calientes Especializados | 10354 |
IRF5305L | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 6330 |
IRF5305LPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3316 |
IRF5305LPBF. | IR | CIs Calientes Especializados | 2716 |
IRF5305P | IRF | CIs Calientes Especializados | 31 |
IRF5305PBF | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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