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3N163
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3N163 Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 10µA |
Supplier Device Package | TO-72 |
Power Dissipation (Max) | 375mW (Ta) |
Package / Case | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50mA (Ta) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 Ohm @ 100µA, 20V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3.5pF @ 15V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "3N163" partes
Las siguientes partes incluyen '3N163'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
3N163 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 0 |
3N163 | Vishay Siliconix | Transistores MOSFET individuales | |
3N163-2 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2719 |
3N163-2 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2684 |
3N163-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2590 |
3N163-E3 | Vishay / Siliconix | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2613 |
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