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3N163 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 10µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 Ohm @ 100µA, 20V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3.5pF @ 15V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50mA (Ta)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-72
Power Dissipation (Max) 375mW (Ta)
Package / Case TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Detailed Description P-Channel 40V 50mA (Ta) 375mW (Ta) Through Hole TO-72
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
3N163 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2798
3N163 Vishay Siliconix Transistores MOSFET individuales
3N163-2 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2719
3N163-2 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2684
3N163-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2590
3N163-E3 Vishay / Siliconix Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2613

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