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VS-GBPC3510W Especificaciones técnicas

RECTIFIER BRIDGE 35A 1000V GBPCW

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores de Puente
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Peak Reverse (Max) 1000V
Technology Standard
Packaging Tray
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type Single Phase
Current - Average Rectified (Io) 35A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If -
Supplier Device Package GBPC-W
Package / Case 4-Square, GBPC-W
Mounting Type Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr 2mA @ 1000V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
VS-GB05XP120KTPBF Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2534
VS-GB05XP120KTPBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2677
VS-GB05XP120KTPBF Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GB100DA60UP Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 0
VS-GB100DA60UP Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2778
VS-GB100DA60UP Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GB100LH120N Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2689
VS-GB100LH120N Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2631
VS-GB100LH120N Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GB100LP120N Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2567

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