VS-GB05XP120KTPBF Especificaciones técnicas

MODULE MTP SWITCH

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package MTP
Package / Case 12-MTP Module
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Manufacturer Standard Lead Time 6 Weeks
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 12A 76W Chassis Mount MTP
Current - Collector (Ic) (Max) 12A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic -
Power - Max 76W
Other Names VSGB05XP120KTPBF
NTC Thermistor Yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type -
Current - Collector Cutoff (Max) 250µA
Configuration Three Phase Inverter
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
VS-GB05XP120KTPBF Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2534
VS-GB05XP120KTPBF Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GB100DA60UP Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 0
VS-GB100DA60UP Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2778
VS-GB100DA60UP Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GB100LH120N Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2689
VS-GB100LH120N Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2631
VS-GB100LH120N Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GB100LP120N Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2567
VS-GB100LP120N Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2744

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