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VS-GBPC3506W
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VS-GBPC3506W Especificaciones técnicas
RECT BRIDGE GPP 35A 600V GBPCW
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores de Puente |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Technology | Standard |
Packaging | Tray |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Diode Type | Single Phase |
Current - Average Rectified (Io) | 35A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
Supplier Device Package | GBPC-W |
Package / Case | 4-Square, GBPC-W |
Mounting Type | Through Hole |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 2mA @ 600V |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para VS-GBPC3506W
-
Hojas de datos
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Otros incluyen "VS-GB" partes
Las siguientes partes incluyen 'VS-GB'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
VS-GB05XP120KTPBF | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Transistores - IGBTs - Módulos | 2534 |
VS-GB05XP120KTPBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - IGBTs - Módulos | 2677 |
VS-GB05XP120KTPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | Módulos IGBT | |
VS-GB100DA60UP | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - IGBTs - Módulos | 0 |
VS-GB100DA60UP | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Transistores - IGBTs - Módulos | 2778 |
VS-GB100DA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | Módulos IGBT | |
VS-GB100LH120N | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Transistores - IGBTs - Módulos | 2689 |
VS-GB100LH120N | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - IGBTs - Módulos | 2631 |
VS-GB100LH120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | Módulos IGBT | |
VS-GB100LP120N | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - IGBTs - Módulos | 2567 |
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