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VS-GB100TP120N Especificaciones técnicas

IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package INT-A-PAK
Package / Case INT-A-Pak
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 7.43nF @ 25V
IGBT Type -
Current - Collector (Ic) (Max) 200A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A
Power - Max 650W
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 5mA
Configuration Half Bridge
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
VS-GB05XP120KTPBF Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2534
VS-GB05XP120KTPBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2677
VS-GB05XP120KTPBF Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GB100DA60UP Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 0
VS-GB100DA60UP Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2778
VS-GB100DA60UP Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
VS-GB100LH120N Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2689
VS-GB100LH120N Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 2631
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VS-GB100TP120N fabricantes de marca: Vishay / Semiconductor - Diodes Division, Bonchip existencias, VS-GB100TP120N precio de referencia. VS-GB100TP120N parámetros, VS-GB100TP120N Hoja de datos PDF y descarga de la descripción del diagrama de pines. Puede usar el VS-GB100TP120N Conectores enchufables, DSP Hoja de datos PDF, buscar VS-GB100TP120N diagrama de pines y diagrama de circuito y método de uso de la función, VS-GB100TP120N tutoriales de electrónica. Puedes descargarlos desde el Bonchip.
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