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50MT060WH Especificaciones técnicas
IGBT WARP 600V 114A MTP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos |
Manufacturer | Vishay / Semiconductor - Diodes Division |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Supplier Device Package | 12-MTP |
Package / Case | 12-MTP Module |
NTC Thermistor | No |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 7.1nF @ 30V |
IGBT Type | PT |
Current - Collector (Ic) (Max) | 114A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 100A |
Power - Max | 658W |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input | Standard |
Current - Collector Cutoff (Max) | 400µA |
Configuration | Half Bridge |
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Otros incluyen "50MT0" partes
Las siguientes partes incluyen '50MT0'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
50MT060ULS | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Transistores - IGBTs - Módulos | 2661 |
50MT060ULS | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - IGBTs - Módulos | 2548 |
50MT060ULS | Vishay Semiconductor Diodes Division | Módulos IGBT | |
50MT060WH | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistores - IGBTs - Módulos | 3144 |
50MT060WH | Vishay Semiconductor Diodes Division | Módulos IGBT | |
50MT060WHT | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 2797 |
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