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50MT060ULS Especificaciones técnicas

IGBT UFAST 600V 100A MTP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Supplier Device Package 10-MTP
Package / Case 10-MTP
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Single 600V 100A 445W Chassis Mount 10-MTP
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.55V @ 15V, 100A
Power - Max 445W
Other Names *50MT060ULS VS-50MT060ULS VS-50MT060ULS-ND VS50MT060ULS VS50MT060ULS-ND
NTC Thermistor No
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Cies) @ Vce 14.7nF @ 30V
IGBT Type -
Current - Collector Cutoff (Max) 250µA
Configuration Single
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
50MT060ULS Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2661
50MT060ULS Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
50MT060WH Vishay / Semiconductor - Diodes Division Transistores - IGBTs - Módulos 2999
50MT060WH Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - IGBTs - Módulos 3144
50MT060WH Vishay Semiconductor Diodes Division Módulos IGBT
50MT060WHT Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 2797

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