19MT050XF Especificaciones técnicas

MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6V @ 250µA
Series HEXFET®
Power - Max 1140W
Package / Case 16-MTP Module
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 16-MTP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 220 mOhm @ 19A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7210pF @ 25V
FET Type 4 N-Channel (H-Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
19MT050XF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2536
19MT050XF Vishay Semiconductor Diodes Division Matrices de transistores MOSFETs
19MT050XFA IR Módulos IGBT 2657
19MT050XFAPBF IR Módulos IGBT 2636

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