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19MT050XF
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19MT050XF Especificaciones técnicas
MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 250µA |
Series | HEXFET® |
Power - Max | 1140W |
Package / Case | 16-MTP Module |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7210pF @ 25V |
FET Type | 4 N-Channel (H-Bridge) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 16-MTP |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 19A, 10V |
Packaging | Bulk |
Other Names | *19MT050XF |
Mounting Type | Chassis Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 160nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Detailed Description | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 500V 31A 1140W Chassis Mount 16-MTP |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen '19MT0'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
19MT050XF | Vishay / Semiconductor - Diodes Division | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2624 |
19MT050XF | Vishay Semiconductor Diodes Division | Matrices de transistores MOSFETs | |
19MT050XFA | IR | Módulos IGBT | 2657 |
19MT050XFAPBF | IR | Módulos IGBT | 2636 |
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