TK042N65Z5 Especificaciones técnicas

The TK042N65Z5 from Toshiba is a MOSFET with Continous Drain Current 55 A, Drain Source Resistance 35 milli-ohm, Drain Source Breakdown Voltage 650 V, Gate Source Voltage 30 V, Gate Source Threshold Voltage 3.5 to 4.5 V. Tags: Through Hole.

Atributo del producto Valor de atributo
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Toshiba
Factory Lead Time 3 Weeks
Description Silicon N-Channel MOSFET N-Channel 650 V 55A (Ta) 360W (Tc) Through Hole TO-247
Technology Silicon
Number of Channels Single
Drain Source Resistance 35 milli-ohm
Gate Source Voltage 30 V
Gate Charge 105 nC
Temperature operating range -55 to 150 Degree C
Package Type Through Hole
Applications Switching Voltage Regulators
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Types of MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Transistor Polarity N-Channel
Continous Drain Current 55 A
Drain Source Breakdown Voltage 650 V
Gate Source Threshold Voltage 3.5 to 4.5 V
Power Dissipation 360 W
Industry Commercial, Industrial
Package TO-247
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