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TPH8R80ANH,L1Q
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TPH8R80ANH,L1Q Especificaciones técnicas
MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 500µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | U-MOSVIII-H |
Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta), 61W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerVDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | 8-SOP Advance (5x5) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8 mOhm @ 16A, 10V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 32A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
TPH8R008NH | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 20294 |
TPH8R008NH L1Q(M | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 618 |
TPH8R008NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2650 |
TPH8R008NH.L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 5251 |
TPH8R808NH | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 486 |
TPH8R808NH,L1Q(M | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 50 |
TPH8R80ANH | TOSHIBA | CIs Calientes Especializados | 6679 |
TPH8R80ANH ,L1BQ | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 3003 |
TPH8R80ANH,L1Q(M | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 3078 |
TPH8R80ANH.L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | CIs Calientes Especializados | 1438 |
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