TPH4R10ANL,L1Q Especificaciones técnicas

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVIII-H
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 67W (Tc)
Other Names TPH4R10ANLL1Q
Mounting Type Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6.3nF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 92A (Ta), 70A (Tc) 2.5W (Ta), 67W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SOP Advance (5x5)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1 mOhm @ 35A, 10V
Package / Case 8-PowerVDFN
Operating Temperature 150°C
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 92A (Ta), 70A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TPH4R003NL TOSHIBA CIs Calientes Especializados 391
TPH4R003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2761
TPH4R003NL,L1Q(M Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 50
TPH4R008NH TOSHIBA CIs Calientes Especializados 22512
TPH4R008NH ,L1Q(M Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 1084
TPH4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2622
TPH4R008NH.L1Q(M Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 4363
TPH4R50AHN Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 9375
TPH4R50ANH TOSHIBA CIs Calientes Especializados 1571
TPH4R50ANH ,L1Q IC Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 15213

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