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TPH4R008NH,L1Q Especificaciones técnicas

MOSFET N CH 80V 60A SOP ADV

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series U-MOSVIII-H
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta), 78W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SOP Advance (5x5)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5300pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para TPH4R008NH,L1Q

Otros incluyen   "TPH4R"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TPH4R' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TPH4R003NL TOSHIBA CIs Calientes Especializados 391
TPH4R003NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2761
TPH4R003NL,L1Q(M Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 50
TPH4R008NH TOSHIBA CIs Calientes Especializados 22512
TPH4R008NH ,L1Q(M Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 1084
TPH4R008NH.L1Q(M Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 4363
TPH4R10ANL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2552
TPH4R50AHN Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 9375
TPH4R50ANH TOSHIBA CIs Calientes Especializados 1571
TPH4R50ANH ,L1Q IC Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 15213

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