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TK9A60D(STA4,Q,M) Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 9A TO-220SIS

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package TO-220SIS
Rds On (Max) @ Id, Vgs 830 mOhm @ 4.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series π-MOSVII
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
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Otros incluyen   "TK9A6"   partes

Las siguientes partes incluyen  'TK9A6' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TK9A60D TOSHIBA CIs Calientes Especializados 555
TK9A60D(STA4,Q,M Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 200
TK9A65W Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 526
TK9A65W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2534
TK9A65W.S5X Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 513

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